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SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D
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SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D

SI500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备,利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(<100?C)沉积高质量SiO2,Si3N4,和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。

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产品特性:沉积薄膜加工定制:是品牌:SENTECH
型号:SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D电源电压:220V功率:1000W
铝丝直径:25weimμm重量:500kg

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D详细介绍

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D

 

SENTECH仪器(德国)有限公司是国际主流的半导体设备商,研发、制造和销售***的薄膜测量仪器(反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪)和等离子工艺设备(等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统)。

SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备,利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(<100?C)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力连续调节。

 

 

SI 500 D主要特点

适用于8寸以及以下晶片

低温沉积高质量电介质膜80°C~350°C

高速率沉积

低损伤

薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调

平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

SENTECH***等离子设备操作软件

穿墙式安装方式

 

系统配置


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